? ? ? ? ? ? ? ?CCPT03FS120E2B型功率驱动器

1)重要功能????????????????

l??????????????????????优化的1200V高机能和高性价比SiC技术

l??????????????????????低导通电阻(Rds(on))

l??????????????????????高快率开关，低电容

l??????????????????????低开关损耗

l??????????????????????低电感设计

2)产品优势

l??????????????????????提高系统效能

l??????????????????????降低散热需要

l??????????????????????增长功率密度

l??????????????????????实现更高的开关频率

3)利用领域

l??????????????????????电机驱动逆变器

l??????????????????????互换与直流伺服驱动放大器

l??????????????????????高频开关利用

l??????????????????????智能电网/并网散布式发电

4)重要参数

绝对最大额定值（TC=25℃，除非还有注明）

金属氧化物半导体场效应晶体管

符号	参数	数值	单位
VDSmax	漏源击穿电压	1200	V
VGSmax	栅源最大电压	-5/+20	V
IDN	陆续漏极电流	300	A
IDRM	沉复峰值漏极电流：设计验证，脉冲宽度受Tvjmax限度	600	A

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体二极管

符号	参数	数值	单位
Isd	直流体二极管正向电流	300	A

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MOSFET个性（TC=25℃，除非还有注明）

符号	参数	最幼。	类型。	最高的	单元	试验条件
? RDS(on)	? 漏源导通电阻	?	3.64	?	mΩ	ID=300A,VGS=18V,Tj=25oC
		?	5.18	?	?	ID=300A,VGS=18V,Tj=150oC
		?	5.86	?	?	ID=300A,VGS=18V,Tj=175oC
VGS(th)	栅源阈值电压	2	2.80	4	V	IC=80mA,VGS=VDS,Tj=25oC
IDSX	漏源漏电流	?	?	100	?A	VDS=1200V,VGS=-4V,Tj=25oC
IGSS	栅源漏电流	?	?	400	nA	VGS=20V
RGint	内部栅极电阻	?	1.8	?	?	Tj=25oC
Cies	输入电容	--	22.5	--	nF	VDS=600V,f=100KHz, VGS=0V
Coss	输出电容	--	41.8	--	?	?
Crss	反向传输电容	--	3.10	--	?	?
Qg	总栅电荷	--	0.78	--	uC	VGS=-4/+18V,VDS=600V,ID=300A
? ? EOn	? ? 开明切换能量	? ? --	5.5	? ? --	? ? mJ	VDS=600V,ID=300A, VGS=-4/+18V, RG=8.2Ω, Tj=25oC
EOff	关断切换能量	--	13.7	--	?	?
td(on)	开明延长功夫	--	90	--	ns	?
tr	开明上升功夫	--	134	--	?	?
td(off)	关断延长功夫	--	275	--	?	?
tf	关断降落功夫	--	51	--	?	?
? EOn	? ? 开明切换能量	? ? --	4.2	? ? --	? ? mJ	VDS=600V,ID=300AVGS=-4/+18V, RG=8.2Ω, Tj=150oC
EOff	关断切换能量	--	14.1	--	?	?
td(on)	开明延长功夫	--	67	--	ns	?
tr	开明上升功夫	--	118	--	?	?
td(off)	关断延长功夫	--	339	--	?	?
tf	关断降落功夫	--	49	--	?	?
? ? EOn	? ? 开明切换能量	? ? --	4.2	? ? --	? mJ	VDS=600V,ID=300A, VGS=-4/+18V, RG=8.2Ω, Tj=175oC
EOff	关断切换能量	--	14.2	--	?	?
td(on)	开明延长功夫	--	68	--	ns	?
tr	开明上升功夫	--	118	--	?	?
td(off)	关断延长功夫	--	355	--	?	?
tf	关断降落功夫	--	49	--	?	?
RthJC	结到壳热阻	?	0.136	?	K/W	每个MOSFET
RthCH	壳到散热器热阻	?	0.002	?	K/W	每个MOSFET
Tvjop	开关前提下的温度	-40	?	175	℃	?

体二极管个性（TC=25℃，除非还有注明）

符号	参数	最幼值	典型值。	最大值	单位	测试前提
? VSD	? 二极管正向电压	?	5.91	?	? V	VGS=-4V,IS=300A,Tj=25oC
		?	5.38	?		VGS=-4V,IS=300A,Tj=150oC
		?	5.27	?		VGS=-4V,IS=300A,Tj=175oC
trr	反向复原功夫	?	61	?	ns	? VDS=600V,IS=300A, VGS=-4V,diF/dt=-4174A/us,Tj=25oC
Qrr	反向复原电荷	?	4.6	?	uC
Irrm	反向复原峰值电流	?	127	?	A
Erec	反向复原能量	?	2.8	?	mJ
trr	反向复原功夫	?	69	?	ns	? VDS=600V,IS=300A, VGS=-4V,diF/dt=-4987A/us,Tj=150oC
Qrr	反向复原电荷	?	7.1	?	uC
Irrm	反向复原峰值电流	?	174	?	A
Erec	反向复原能量	?	4.7	?	mJ
trr	反向复原功夫	?	70	?	ns	? VDS=600V,IS=300A, VGS=-4V,diF/dt=-5077A/us,Tj=175oC
Qrr	反向复原电荷	?	7.4	?	uC
Irrm	反向复原峰值电流	?	178	?	A
Erec	反向复原能量	?	5.0	?	mJ

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NTC热敏电阻个性

符号	参数	测试前提	最幼值	典型值	最大值	单位
R25	额定电阻	TNTC=25℃	?	5.0	?	kΩ
B25/50	B值	R2=R25exp[B25/50(1/T2-1/(298,15K))]	?	3380	?	K
B25/80	B值	R2=R25exp[B25/80(1/T2-1/(298,15K))]	?	3435	?	K

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封装特性

符号	参数	测试前提	数值	单位
VISOL	绝缘测试电压	RMS，f=50Hz，t=1分钟	2.5	kV
dCreep	爬电距离	?	10.0	mm
dClear	电气间隙	?	7.5	mm
CTI	比力漏电起痕指数	?	>200	?
LsCE	漏源极之间的寄生电感	?	18	nH
Tstg	贮存温度	?	-40~125	℃
M	？樽爸门ぞ	M5，螺丝	3~6	Nm
G	沉量	?	300	g

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图1.MOSFET输出特性??????????????????????????图2.MOSFET输出特性

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图3.MOSFET转移特性????????????????????????图4.MOSFET漏源导通电阻

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图5.MOSFET漏源导通电阻?????????????????????图6.MOSFET电容特性

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图7.MOSFET开关损耗与漏极电流(ID)的关系??????????图8.MOSFET开关损耗与栅极电阻(RG)的关系

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图9.MOSFET反向偏置安全工作区(RBSOA) ????????图10. MOSFET瞬态热阻

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图11. 体二极管正向个性???????????图12. 体二极管开关损耗与体二极管电流(ISD) 的关系

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??图13.体二极管开关损耗与栅极电阻(RG)的关系????????????????图14.NTC温度特性

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电路图

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封装尺寸

尺寸单元：毫

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